利用液相磊晶法於 Si(111)基板上所製備鍺薄膜之特性分析

劉家維

doi:10.6840/cycu201700074

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利用液相磊晶法於 Si(111)基板上所制备锗薄膜之特性分析

Characterizations of Ge films grown on Si(111) substrate by liquid phase epitaxy

刘家维 , 硕士　　导师：温武义　　

繁体中文 DOI： 10.6840/cycu201700074

液相磊晶；锗； LPE ； Ge ； Si

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摘要 │ 参考文献 (30) │ 国际计量

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The heteroepitaxial growth of germanium (Ge) on silicon (Si) substrate was conducted using liquid phase epitaxy (LPE). As known, a limitation of lattice mismatch for the epitaxial growth by LPE was reported to be 1%, while that between Ge and Si is high to the degree of 4.1% and therefore the direct growth of Ge on Si substrate is almost impossible for LPE. However, in the present study a self-organized Si1-xGex film growth with a grading composition has been initiated on the Si(111) substrate and which consequently made possible the fabrication of Ge top film on Si(111) substrate by LPE. The quality of Ge films fabricated was characterized by X-ray diffraction, Raman scattering, scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), and transmission electron microscopy (TEM).
It is found that the use of tin (Sn) as the solvent and the commencement of LPE at 950°C are important origins to induce the growth of compositionally graded Si1-xGex layer. After the growth of a Si1-xGex layer with tardy grading in Ge composition from 10% to 15% within a layer thickness ranging from 20 to 35 μm, a prompt crossover for Ge and Si composition distributions occurred by ramping the temperature to lower than 510°C. This transition favored for the further growth of Ge epilayers with their thickness generally in the range of several μm.
Raman scattering analyses recognized the tensile strain and high compositions of Ge of the Si1-xGex layers obtained. In addition, the TEM cross-sectional images indicated noteworthy the bending behavior of dislocations and a dislocation density as low as 1.2×〖10〗^5cm-2 was achieved for the Ge top layer grown on Si(111) substrate.

参考文献 ( 30 ) 〈TOP〉

[1] D. J. Paul, Adv. Mat. 11, 191 (1999).
连结：
[2] J. D. Cressler, IEEE Spect. 49 (1995).
连结：
[8] S. A. Healy and M. A. Green, Sol. Energ. Mat. Sol. Cells 28, 273 (1992).
连结：
[11] C. M. Bhandari and D. M. Rowe, Contemp. Phys. 21, 219 (1980).
连结：
[14] J. Schilz and V. N. Romanenko, J. Mat. Sci.: Mat. Electr. 6, 265 (1995). 28
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