以熱退火處理金薄膜成長於 SiO2 / Si 之表面形貌變化

曾子庭

doi:10.6840/cycu201700063

山西大学，您好！

感谢采购，人社期刊库｜人社论文库，期间：2024/01/01~2024/12/31

感谢试用，科学期刊库｜科学论文库，期间：2024/10/20~2025/01/20

浏览高级检索

关闭
检索检索高级检索出版物检索
浏览期刊主题浏览核心期刊浏览期刊拼音浏览

关闭

查询符号(半角)	查询符号意义说明
空格	表示为「AND」两个查询词之交集
双引号 ( " " )	片语以双引号标示开始及结束，而且只寻找出现顺序相同的字词，例： " image process "
?	表示一个字母切截，输入两个?表两个字母，依此类推，例：输入「Appl?」，查得结果应为appl e , appl y … ( 常用于英文字查询 )
*	表示不限字母切截，由0~n. 例：输入「appl*」，查得结果应为appl e , appl es , appl y , appl ied , appl ication … ( 常用于英文字查询 )
AND、OR、NOT	布尔逻辑组合关键字，用来扩大或缩小查询范围的技巧。 (1) AND ：缩小查询范围 (2) OR ：扩大查询范围(3) NOT：排除不相关的范围

DOI 是数位物件识别码（ D igital O bject I dentifier ）的简称，
为物件在网路上的唯一识别码，可用于永久连结并引用目标物件。

使用DOI作为永久连结

每个DOI号前面加上「 http://dx.doi.org/ 」便成为永久网址。
如以DOI号为 10.5297/ser.1201.002 的文献为例，此文献的永久连结便是： http://dx.doi.org/ 10.5297/ser.1201.002 。
日后不论出版单位如何更动此文献位置，永久连结所指向的位置皆会即时更新，不再错失重要的研究。

引用含有DOI的文献

有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式，可引用DOI永久连结。

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考（）。

书目管理工具

相关连结

问题回报

全文下载

以热退火处理金薄膜成长於 SiO2 / Si 之表面形貌变化

Surface Morphology of Annealed Gold Films Grown on SiO2 / Si Substrates

曾子庭 , 硕士　　导师：许经夌　　

繁体中文 DOI： 10.6840/cycu201700063

金薄膜；热退火；共晶；矽金化合物； Gold films ； Thermal annealing ； Eutectic ； Gold silicide

0 个人觉得这篇文章赞

摘要 │ 参考文献 (44) │ 国际计量

摘要〈TOP〉

并列摘要〈TOP〉

In this study, we deposited 30 nm thick gold thin films on n-type (100) silicon substrates. After thermal annealing, the surface morphology of the gold films was changed. As heating, the collective surface area of the gold films would decrease to reduce the total surface energy of the system, so that the gold films changed into island-like shapes. From the results of AFM (Atomic Force Microscopy) and SEM (Scanning Electron Microscopy), the samples on two kinds of silicon substrates (covered with silicon dioxide layer or not) showed different morphologies after annealing. Their responses to annealing temperatures were also different during the annealing process.
We speculated that the gold-silicon eutectic alloy and gold silicide might form in the direct contact between the gold and silicon when the gold films were grown on the bare silicon substrates and thermal annealed. This formation also affected the surface morphology. In the eutectic state, the different proportions of gold and silicon caused different melting points, resulting phase separation when the liquid phase solidification occurred. Therefore the island-like formations contained silicon element. Some gold also immersed into the silicon substrates. Further, the island-like structures formed after thermal annealing was investigated by EDS (Energy Dispersive X-ray Spectrometer). The ratio of gold to silicon was found to be different. As a result of XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), it was confirmed that the samples on bare silicon substrates had gold silicide formations at a thermal annealing temperature of 800 ℃.

参考文献 ( 44 ) 〈TOP〉

[5] P. Schwerdtfeger, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 1892 (2003).
连结：
[6] A. M. Schwartzberg,and J. Z. Zhang, J. Phys. Chem. C 112, 10323 (2008).
连结：
[9] J. P. Camden, J. A. Dieringer, J. Zhao,and R. P. Van Duyne, Acc. Chem. Res. 41, 1653 (2008).
连结：
[14] T. Morimoto, T. Ohguro, S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K.Suguro, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y.Katsumata,and H. Iwai, Self- aligned nickel-mono-silicide technologyfor high-speed deep submicrometer logic CMOS ULSI (IEEE Transactions on Electron Devices, 1995).
连结：
[20] E.S. Carmichael, and M. Gruebele, J. Phys. Chem. C. 113, 4495 (2009).
连结：

国际计量

〈TOP〉

E-mail ：

文章公开取用时，将寄通知信至您填写的信箱地址

E-mail ：

使用DOI作为永久连结

引用含有DOI的文献

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考 （ ） 。

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考（）。