無鉛鈣鈦礦紅外光發光二極體之光電特性研究

洪維禮

doi:10.6840/cycu201700404

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无铅钙钛矿红外光发光二极体之光电特性研究

Electro-optical properties of lead-free peroskite infrared light-emitting diodes

洪维礼 , 硕士　　导师：赵宇强　　

繁体中文 DOI： 10.6840/cycu201700404

钙钛矿；近红外光；发光二极体； perovskite ； infrared ； light-emitting diode

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摘要 │ 参考文献 (10) │ 国际计量

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Solid-state infrared light-emitting devices play a critical role in all kinds of general, industrial and military uses. Materials with efficient near-infrared emission at room temperature are rare, and the fabrication of most infrared light-emitting devices relies on high-vacuum and high-temperature processes. Here, we report efficient light-emitting diodes based on lead-free halide perovskite CsSnI3 through low-temperature solution processes. We demonstrate infrared light-emitting diodes of electroluminescence is at 950 nm. The CsSnI3 thin films which prepare by toluene dripping method and one-pot solution synthesis method was measured with Scanning Electron Microscope, X-Ray Diffraction, Photoluminescence and Nanosecond time-resolved photoluminescence. The perovskite films prepared by toluene dripping method have higher quality than one-pot solution synthesis method. As a result of the high quality thin films, the devices have high radiance and external quantum efficiency. We demonstrate lead-free perovskite infrared light-emitting diodes with maximum external quantum efficiency of 3.8%, and radiance of 40 W m-2 sr-1 at current density at 364.3 mA/cm2.

参考文献 ( 10 ) 〈TOP〉

[2] C. W. Tang, and S. A. Vanslyke, Appl. Phy. Lett., 1987, 51, 913
连结：
[7] K. H. Norris, T. ASAE, 1964, 7, 240
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[9] Y. T. Chang, P. Y. Liao, H. S. Sheu, Y. J. Tseng, F. Y. Cheng, and C. S. Yeh, Adv. Mater., 2012, 24, 3309
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[1] P. Pope, H. P. Kallmann, and P. J. Magnante, Chem. Phy., 1963, 38, 2040
[3] S. A. Vanslyke, C. W. Tang, and L. C. Robert, US Patent, 1988, 4, 720

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