ICP乾蝕刻表面粗化對垂直型氮化鎵發光二極體之研究

常銘

山西大学，您好！

感谢采购，人社期刊库｜人社论文库，期间：2025/01/01~2025/12/31

感谢试用，科学期刊库｜科学论文库，期间：2024/10/20~2025/01/20

浏览高级检索

关闭
检索检索高级检索出版物检索
浏览期刊主题浏览核心期刊浏览期刊拼音浏览

关闭

查询符号(半角)	查询符号意义说明
空格	表示为「AND」两个查询词之交集
双引号 ( " " )	片语以双引号标示开始及结束，而且只寻找出现顺序相同的字词，例： " image process "
?	表示一个字母切截，输入两个?表两个字母，依此类推，例：输入「Appl?」，查得结果应为appl e , appl y … ( 常用于英文字查询 )
*	表示不限字母切截，由0~n. 例：输入「appl*」，查得结果应为appl e , appl es , appl y , appl ied , appl ication … ( 常用于英文字查询 )
AND、OR、NOT	布尔逻辑组合关键字，用来扩大或缩小查询范围的技巧。 (1) AND ：缩小查询范围 (2) OR ：扩大查询范围(3) NOT：排除不相关的范围

DOI 是数位物件识别码（ D igital O bject I dentifier ）的简称，
为物件在网路上的唯一识别码，可用于永久连结并引用目标物件。

使用DOI作为永久连结

每个DOI号前面加上「 http://dx.doi.org/ 」便成为永久网址。
如以DOI号为 10.5297/ser.1201.002 的文献为例，此文献的永久连结便是： http://dx.doi.org/ 10.5297/ser.1201.002 。
日后不论出版单位如何更动此文献位置，永久连结所指向的位置皆会即时更新，不再错失重要的研究。

引用含有DOI的文献

有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式，可引用DOI永久连结。

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考（）。

书目管理工具

相关连结

问题回报

全文下载

ICP乾蚀刻表面粗化对垂直型氮化镓发光二极体之研究

The study of inductively coupled plasma dry etching surface roughness on vertical gallium nitride light emitting diodes

常铭 , 硕士　　导师：苏水祥　　共同指导教授：叶信良

繁体中文

none ； none

0 个人觉得这篇文章赞

摘要 │ 参考文献 (43) │ 国际计量

摘要〈TOP〉

并列摘要〈TOP〉

One of the effective techniques for improving light output efficiency of vertical LED is n-GaN surface roughening using KOH wet etching, forming the hexagonal pyramid structure to destroy the complete reflection surface so that the light path changes thereby increasing the chances of escape of light, and improving the light extraction efficiency.
    In this study, the pattern sapphire substrate (PSS) by laser lift-off (LLO) transferred to the Si substrate to stay behind the micron-specific rules of microstructure pattern. After removal of undoped-GaN layer by ICP dry etching, continue etching on the n-GaN surface making a similar to the irregular hexagonal pyramid pattern to replace the KOH wet etching pattern.
    As the ICP machine parameters can be segmented etching, cross-etching is performed using different groups of chemical gas groups to control the etching rate to make different pattern profiles, achieve the light output efficiency with KOH wet etching. Optimizd  experimental parameters are divided into two main etching parameters. First step: BIAS power:  120 W, ICP power: 120 W, APC pressure: 2 Pa, CHF3: 30 Sccm, O2: 5 Sccm. Second step: BIAS power: 350 W, ICP power: 280 W, APC pressure: 7 Pa, Cl2: 50 Sccm, BCl3:22.5 Sccm. The LED package show forward voltage is 3.33 V and light intensity is 846 mW at wavelength of 453 nm driven at 700 mA. At the same time wet etching package components at the same current, forward voltage is 3.29 V and light intensity is 877 mW at wavelength of 454 nm. Experimental results demonstrate dry and wet etching data is not significant, proving to be one of the effective techniques for roughing the n-GaN surface.

参考文献 ( 43 ) 〈TOP〉

[1]Michael R. Krames, Oleg B. Shchekin, Regina Mueller-Mach, Gerd O.Mueller,Ling Zhou, Gerard Harbers, and M. George Craford, “Status and future of high-power light-emitting diodes for solid-state lighting,” Journal of Display Technology, 3, (2), 160 (2007)
连结：
[2]E. Fred Schubert, “Light-emitting diodes” (Cambridge, New York, 2006)
连结：
[3]Donald A. Neamen, “Semiconductor phsics and devices,” McGraw-Hill, 2033.
连结：
[4]S. Nakamura, Jpn. J. Appl.Phys. (1991) 30, L1705
连结：
[6]C. Kao, H. C. Kyo, Member, H. W. Huang, J. T. Chu, Y. C. Peng, Y. L. Hsieh, C. Y. Luo, S. C. Wamg, Member, C. C. Yu, and C. F. Lin, IEEE Photon. Technol. Lett Jan.2005, vol. 17, NO. 1, 19-21
连结：

国际计量

〈TOP〉

E-mail ：

文章公开取用时，将寄通知信至您填写的信箱地址

E-mail ：

使用DOI作为永久连结

引用含有DOI的文献

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考 （ ） 。

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考（）。