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查询符号(半角) 查询符号意义说明
空格 表示为「AND」两个查询词之交集
双引号 ( " " ) 片语以双引号标示开始及结束,而且只寻找出现顺序相同的字词,例 : " image process "
? 表示一个字母切截,输入两个?表两个字母,依此类推,例:输入「Appl?」,查得结果应为appl e , appl y … ( 常用于英文字查询 )
* 表示不限字母切截,由0~n. 例:输入「appl*」,查得结果应为appl e , appl es , appl y , appl ied , appl ication … ( 常用于英文字查询 )
AND、OR、NOT

布尔逻辑组合关键字,用来扩大或缩小查询范围的技巧。
(1) AND :缩小查询范围
(2) OR :扩大查询范围(3) NOT:排除不相关的范围

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DOI 是数位物件识别码 ( D igital O bject I dentifier ) 的简称,
为物件在网路上的唯一识别码,可用于永久连结并引用目标物件。

使用DOI作为永久连结

每个DOI号前面加上 「 http://dx.doi.org/ 」 便成为永久网址。
如以DOI号为 10.5297/ser.1201.002 的文献为例,此文献的永久连结便是: http://dx.doi.org/ 10.5297/ser.1201.002
日后不论出版单位如何更动此文献位置,永久连结所指向的位置皆会即时更新,不再错失重要的研究。

引用含有DOI的文献

有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式,可引用DOI永久连结。

DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结,并给予使用者跨平台的良好使用经验,目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解,请参考 ( ) 。

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ACI:

数据来源:Academic Citation Index,简称ACI

台湾最大的引用文献资料库,目前收录台湾与港澳地区所出版的人文学、社会学领域学术期刊之书目资料与参考文献,总期刊量超过690种,每年定期公布收录期刊的影响指数(Impact Factor)等指标给大众,并提供专家学者与学术单位实用的计量与分析功能。

五年影响指数(5-Year Impact Factor):某一期刊前五年所出版的文章在当年度的平均被引用次数。

公式:(前五年发表论文在统计年的被引用次数)÷(前五年论文产出论文总篇数)

例如:A期刊2017年之五年影响指数

(A期刊2012-2016年发表论文在2017年的被引总次数)/(A期刊2012-2016年发表的论文总数)

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什么是预刊文章?

为提供读者最前线之学术资讯,于期刊文献获同意刊登后、纸本印制完成前,率先于网路线上发表之文章即为预刊文章。预刊文章尚未有卷期、页次及出版日期资讯,但可藉由DOI号识别。 DOI号是文献的数位身份证字号,不论预刊或正式出版皆不会改变,读者可点击DOI连结,或于DOI号前面加上 「 http://dx.doi.org/ 」 连结到文献目前最新版本。

如何引用预刊文章?

请使用预刊文章的线上发表日期及DOI号来引用该篇文献。

引用范例(视不同引文格式规范可能有所差异):

作者姓名。文章篇名。期刊名称。 YYYY/MM/DD线上预先发表。

doi:DOI 号

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被引用文献 :

1017-091X, 季刊

DOI : 10.29808/JVSROC

刊名沿革
  • 真空科技

    2003 / 01 - 2024 / 09

所有卷期

19卷2期
共4页
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1

Investigation of Optical Mechanisms for Silicon Nanostructure Embedded in Silicon Nitride Grown by Laser Assistance

蔡泰成(Tai-Cheng Tsai)李清庭(Ching-Ting Lee)

10.29808/JVSROC.200611.0001 DOI

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2

Evaluation of an Ultra-thin Sputtered TaC Layer as Diffusion Barrier for Copper Metallization

许祯祥郑钧元李岳修吴伟立杨立中

10.29808/JVSROC.200611.0002 DOI

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3

非晶质Ta-Ni薄膜制备与铜金属化制程整合

方昭训丘坤安高任远

Ta-Ni filmssputtering depositionamorphousdiffusion barrier

10.29808/JVSROC.200611.0003 DOI

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4

Electrical Characteristic and Microstructure of Ternary Alloy Ta(subscript x)Co(subscript y)N(subscript z) Thin Films Deposited by Reactive Sputtering

方昭训(J. S. Fang)柯铭礼(M. L. Ker)陈慧津(H. C. Chen)

Ta-Co-N filmssputtering depositionamorphousdiffusion barrier

10.29808/JVSROC.200611.0004 DOI

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5

自我钝化型铜铟合金薄膜之固溶特性及电性之研究

方昭训谢馨仪

磁控溅镀低电阻率自我钝化铜铟合金薄膜氧化铟

10.29808/JVSROC.200611.0005 DOI

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6

Characterization of Polycrystalline CuInSe2 Thin Films Deposited by Sputtering and Evaporation as a Function of Composition

李岳修林坤丰郑钧元陈丽娟吴政翰吴伟立杨立中

10.29808/JVSROC.200611.0006 DOI

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7

氧化铟锌(IZO)非晶质薄膜扩散阻碍特性与铜制程整合

方昭训(J. S. Fang)陈慧津(H. C. Chen)柯铭礼(M. L. Ker)

铜制程氧化铟锌非晶质扩散阻碍层

10.29808/JVSROC.200611.0007 DOI

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8

彩色光阻热脱附行为

张愼周林天财杨仁钧邱进富曾应钦

热脱附眞空系统彩色光阻

10.29808/JVSROC.200611.0008 DOI

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9

高稳定性长波长雪崩型二极体元件之制作及特性研究

陈梓育李欣萦王铭毅林元富

超晶格雪崩型光侦测器撞击游离系数暗电流

10.29808/JVSROC.200611.0009 DOI

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10

钙离子延伸式闸极场效电晶体之研制与应用

周荣泉江欲辉

钙离子延伸式闸极场效电晶体聚氯乙烯癸二酸二辛酯阴电性钾离子错合物

10.29808/JVSROC.200611.0010 DOI

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19卷2期
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