藍克賽基板上成長氧化鋅薄膜

10.29808/JVSROC.200611.0025

顏國峻；吳信賢；李茂順；林志勳；鐘世賓；程達隆

反應性射頻磁控濺鍍 ； 氧化鋅 ； 藍克賽

真空科技

19卷2期（2006 / 11 / 30）

114 - 118

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本研究主要是以反應性射頻磁控濺鍍系統(reactive rf magnetron sputtering system)在新興壓電晶體材料藍克賽(langasite, LGS)基板上，改變濺鍍參數成長氧化鋅(zinc oxide, ZnO)薄膜，製作成一雙壓電層(ZnO/LGS)的複合壓電材料。所製作之薄膜經由X光繞射(X-ray diffraction, XRD)與掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy, SEM)進行微結構分析，藉由控制氧分率與功率對氧化鋅薄膜之結晶特性、濺鍍速率與表面結構做研究探討。研究顯示本研究成功地在藍克賽基板上成長出具有(002)C軸優選取向之氧化鋅薄膜。所採用之製程條件在不加溫的條件下，改變不同濺鍍功率(100W~200W)與氧分率(15%~5%)來成長氧化鋅薄膜，其中在氧分率為20%、射頻功率為200W的製程條件下所製備氧化鋅結晶特性具有最強的(002)繞射峰強度、最大的濺鍍速率，橫截面微結構分析亦具有明顯之柱狀晶結構。