非晶質Ta-Ni薄膜製備與銅金屬化製程整合

10.29808/JVSROC.200611.0003

方昭訓；丘坤安；高任遠

Ta-Ni films ； sputtering deposition ； amorphous ； diffusion barrier

真空科技

19卷2期（2006 / 11 / 30）

13 - 18

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本研究係以直流磁控濺鍍法製備Ta0.4Ni0.6、Ta0.8Ni0.2及Cu薄膜，薄膜沉積在P-type(l00)矽基板上，藉以探討Ta0.4Ni0.6、Ta0.8Ni0.2在半導體銅製程中作為擴散阻礙層之特性研究。本研究選用TaNi作為阻礙層之材料，希望藉其優異的導電性與非晶質結構提高阻礙特性。實驗使用快速退火爐(RTA)對Si/TaNi與Si/TaNi/Cu試片進行300℃-900℃之熱處理，用以探討不同參數的TaNi阻礙層之熱穩定性與電性質，並利用四點探針(FPP)、X光繞射分析儀(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)及歐傑電子能譜儀(AES)觀察薄膜的電性、微結構、相的變化與元素之縱深分佈。