氧化銦鋅(IZO)非晶質薄膜擴散阻礙特性與銅製程整合

10.29808/JVSROC.200611.0007

方昭訓(J. S. Fang)；陳慧津(H. C. Chen)；柯銘禮(M. L. Ker)

銅製程 ； 氧化銦鋅 ； 非晶質 ； 擴散阻礙層

真空科技

19卷2期（2006 / 11 / 30）

36 - 39

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利用磁控濺鍍系統沉積氧化銦鋅(IZO)金屬擴散阻礙層薄膜，探討透明導電膜擴散阻礙層應用於積體電路銅金屬化製程之性質，本實驗以非晶質結構之氧化銦鋅200nm，採用不同成分含量之氧化鋅（10wt.%及5wt.%）之擴散阻礙層，藉由小型高溫爐管施以300-900℃的溫度退火，利用4點探針(FPP)量測不同熱處理溫度下電阻率變化，以X光繞射分析(XRD)、穿透式電子顯微鏡(TEM)分析薄膜結構與相變化，以掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察薄膜表面型態，藉以探討不同成分之氧化銦鋅阻礙層之熱穩定性及電性。