鈣離子延伸式閘極場效電晶體之研製與應用

10.29808/JVSROC.200611.0010

周榮泉；江欲輝

鈣離子 ； 延伸式閘極場效電晶體 ； 聚氯乙烯 ； 癸二酸二辛酯 ； 陰電性鉀離子錯合物

真空科技

19卷2期（2006 / 11 / 30）

50 - 53

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本研究係利用延伸式閘極場效電晶體(extended gate field effect transistor, EGFET)製作感測元件，且利用聚合物之感測薄膜備製鈣離子感測器，其感測膜成分為聚氯乙烯高分子材料、癸二酸二辛酯塑化劑、離子選擇物ETH129及陰電性鉀離子錯合物。當EGFET之閘極感測膜與待測液接觸時，將於感測膜與待測液介面問形成一介面電位。對於不同之離子濃度，將形成不同之介面電位，藉此機制，EGFET可感測量鈣離子之濃度，並由Ⅰ-Ⅴ量測系統讀取感測之實驗結果。本研究之鈣離子感測器其感測線性範圍介於pCa1-pCa4，其最佳感測度達到29.5mV/pCa，而此範圍已包含市售牛奶之鈣離子濃度，於偵測牛奶之鈣離子濃度實驗中，其量測結果與實際濃度值之誤差百分率皆小於2%。