不同製程溫度對RF-CBE成長InN薄膜之影響

10.29808/JVSROC.200611.0016

陳維鈞；郭守義；柯志忠；蘇健穎；趙志剛；蕭健男

CBE ； 氮化銦 ； 製程溫度

真空科技

19卷2期（2006 / 11 / 30）

77 - 80

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本研究以射頻電漿化學束磊晶系統(RF-CBE)於c軸向藍寶石基板成長氮化銦薄膜，並以AFM、SEM、EDS與XRD等儀器分析氮化銦薄膜之表面形貌、顯微結構、化學成分及晶體結構。由實驗結果得知，於700℃之成長溫度，氮化銦薄膜為多晶態wurtzite結構，且具較高之沉積速率。於500℃成長時，氮化錮沿基板c軸趨向二維模式成長。綜合上述，製程溫度為控制氮化銦薄膜成長的一項重要參數，可應用於晶格不匹配之Ⅲ-Ⅴ族異質結構材料系統磊晶製程。