透明導電ITO薄膜輻射損傷之特性分析

10.29808/JVSROC.200611.0019

潘漢昌；蘇健穎；林郁洧；陳宏彬；蕭健男

ITO ； 透明導電薄膜 ； 輻射損傷

真空科技

19卷2期（2006 / 11 / 30）

89 - 94

繁體中文

本研究討論透明導電ITO薄膜經γ射線35 krad累積照射後其光電與化學組態變化特性分析以了解ITO薄膜於太空輻射環境之應用性。實驗結果顯示，經輻射損傷測試ITO玻璃(35k-ITO)較原始ITO玻璃(OO-ITO)其光學平均穿透率在波長350-550nm範圍約衰減4.5%。X光繞射分析顯示35k-ITO其主(222)與(440)繞射峰值相較於OO-ITO約有0.2°往高角度偏移的現像。化學組態分析中經輻射損傷照射後35k-ITO薄膜中氧原子其O 1s化學鍵結能，於532.2 eV能階位置出現一缺氧狀態能階峰值。霍爾效應量測顯示經輻射照射後35k-ITO玻璃其電阻率(p)呈現下降，霍爾移動率(µ)降低與載子濃度(n)增加的現象，ITO玻璃電性分別由原始狀態p00：183×10(-4)Ω•cm、µ(下标 RT)：29.20平方公分/V•s與N(下标 RT)：1.16×10^21/立方公分改變至35 krad輻射照射的P(下标 35k)：176×10^(-4)Ω•cm、µ(下标 35k)：28.70立方公分/V•s與N(下标 35k)：1.23×10^21/立方公分。