题名 |
浮閘記憶體 從發明到數位電子時代 |
DOI |
10.29913/NDLC.201203.0001 |
作者 |
施敏 |
关键词 | |
期刊名称 |
國家奈米元件實驗室奈米通訊 |
卷期/出版年月 |
19卷1期(2012 / 03 / 01) |
页次 |
2 - 13 |
内容语文 |
繁體中文 |
中文摘要 |
過去45年來(從1967到2012),「浮閘非揮發性半導體記憶體」( Floating-gate Non-volatile Semiconductor Memory),簡稱「浮閘記憶體」已從一個「浮閘」概念擴展成為全球最大工業—「電子工業」之主要技術推動力。本文將回顧浮閘記憶體過去之發展,並預測其未來10年之趨勢。此外,我們將討論此記憶體在數位行動電話、平板電腦、數位電視等廣泛的應用。由於此記憶體之線寬將縮小到10奈米左右我們預期會有許多創新之設計來解決線寬微縮之挑戰,而浮閘記憶體之相關科技將繼續增進並改善人類未來之生活。 |
主题分类 |
基礎與應用科學 >
物理 工程學 > 工程學總論 |