應用於射頻之矽基板氮化鎵元件技術

Technologies of GaN Devices on Silicon for RF Applications

鄒權煒；徐碩鴻

氮化鎵 ； 高電子移動率電晶體 ； 高頻 ； 高功率放大器 ； Gallium Nitride (GaN) ； High electron mobility Transistor (HEMT) ； Radio Frequency ； Power amplifier

國家奈米元件實驗室奈米通訊

24卷4期（2017 / 12 / 01）

27 - 32

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本研究為探討本團隊近年來在矽基板氮化鎵高頻元件之技術發展。討論磊晶結構與元件製作技術兩部分，考量不同的的異質結構、歐姆接觸以及蕭特基接觸的技術應用。我們也提出一種新的應用於高頻的混合型汲極結構以及部分矽基板移除技術。最後透過小訊號等效電路模型來分析基板寄生效應對於氮化鎵高頻元件的影響。

The study presents our recent technology development of GaN-on-Si RF devices. The layer structure and device fabrication are discussed, which include different technologies of GaN-based heterostructures and applications of ohmic and Schottky contacts. The novel technologies of hybrid-drain structure and silicon substrate partial removal for achieving high speed GaN-on-Si HEMTs are proposed. Finally, the parasitic substrate effect on device speed is discussed by using the small-signal equivalent circuit model.