题名

熱探針法量測半導體摻雜濃度之探討

并列篇名

Study on Hot Probe Method for Estimate of Impurity Concentration in Semiconductor

DOI

10.6665/JLYIT.2011.10.16

作者

修宇鋒(Yu-Feng Hsiou)；趙崇佑(Chong-You Zhao)

关键词

熱探針法 ； 半導體 ； 載子濃度 ； hot probe method ； semiconductor ； carrier concentration

期刊名称

蘭陽學報

卷期/出版年月

10期（2011 / 06 / 01）

页次

16 - 21

内容语文

繁體中文
中文摘要

我們發展了一種新的熱探針法應用來獲得主要載子濃度，一般的熱探針法僅運用於判別半導體載子的電性，我們發現可以藉由熱探針法量得的電壓配合理論上的簡化獲得摻雜濃度也就是異質半導體的主要載子濃度。
英文摘要

A novel approach to the ”hot probe method” is proposed in our work. The conventional hot probe characterization method enables only the definition of a semiconductor type, P or N, by identifying the majority charged carriers. According to the new Hot Probe technique, one can get the majority carrier concentration.
主题分类 人文學 > 人文學綜合
基礎與應用科學 > 基礎與應用科學綜合
醫藥衛生 > 醫藥衛生綜合
生物農學 > 生物農學綜合
工程學 > 工程學綜合
社會科學 > 社會科學綜合
社會科學 > 社會學
参考文献
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