DOI
是数位物件识别码
(
D
igital
O
bject
I
dentifier
)
的简称,
为物件在网路上的唯一识别码,可用于永久连结并引用目标物件。
使用DOI作为永久连结
每个DOI号前面加上
「
http://dx.doi.org/
」
便成为永久网址。
如以DOI号为
10.5297/ser.1201.002
的文献为例,此文献的永久连结便是:
http://dx.doi.org/
10.5297/ser.1201.002
。
日后不论出版单位如何更动此文献位置,永久连结所指向的位置皆会即时更新,不再错失重要的研究。
引用含有DOI的文献
有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式,可引用DOI永久连结。
DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结,并给予使用者跨平台的良好使用经验,目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解,请参考 ( ) 。
ACI:
数据来源:Academic Citation Index,简称ACI
台湾最大的引用文献资料库,目前收录台湾与港澳地区所出版的人文学、社会学领域学术期刊之书目资料与参考文献,总期刊量超过690种,每年定期公布收录期刊的影响指数(Impact Factor)等指标给大众,并提供专家学者与学术单位实用的计量与分析功能。
五年影响指数(5-Year Impact Factor):某一期刊前五年所出版的文章在当年度的平均被引用次数。
公式:(前五年发表论文在统计年的被引用次数)÷(前五年论文产出论文总篇数)
例如:A期刊2017年之五年影响指数
(A期刊2012-2016年发表论文在2017年的被引总次数)/(A期刊2012-2016年发表的论文总数)
什么是预刊文章?
为提供读者最前线之学术资讯,于期刊文献获同意刊登后、纸本印制完成前,率先于网路线上发表之文章即为预刊文章。预刊文章尚未有卷期、页次及出版日期资讯,但可藉由DOI号识别。 DOI号是文献的数位身份证字号,不论预刊或正式出版皆不会改变,读者可点击DOI连结,或于DOI号前面加上 「 http://dx.doi.org/ 」 连结到文献目前最新版本。
如何引用预刊文章?
请使用预刊文章的线上发表日期及DOI号来引用该篇文献。
引用范例(视不同引文格式规范可能有所差异):
作者姓名。文章篇名。期刊名称。 YYYY/MM/DD线上预先发表。
doi:DOI 号
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陈启文(Chii-Wen Chen) ; 赖信诚(Hsin-Cheng Lai) ; 陈颖达(Ying-Da Chen) ; 黄厚智(Hou-Jhih Huang) ; 叶文冠(Wen-Kuan Yeh) ; 陈育廷(Yu-Ting Chen)
明新学报 ; 35 卷 2 期 (2009 / 08 / 01) , P11 - 17
繁体中文
DOI:
10.29688/MHJ.200908.0003
闸极漏穿遂电流 ; 高介电质常数材料 ; 界面层 ; direct-tunneling ; high-k dielectric ; interface layer
- Choi, R.,Kang, C. S.,Lee, B. H.,Onishi, K.,Nieh, R.,Gopalan, S.(2001).High-quality ultra-thin HfO2 gate dielectric MOSFETs with TaN electrode and nitridation surface preparation.IEEE Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers
- John, B.、Emir, G.、Mark, B.、Wes S.、Tom, S.、Marcus, S.(2005)。解决闸极堆叠制程技术的挑战。半导体科技,53
- Lo, Q. Q.,Kwong, D. L.(1993).Reliability characteristics of metal-oxide-semiconductor capacitors with chemical vapor deposited Ta2O5 gate dielectrics.Appl. Phys. Letts,62,975.
- Quevedo-Lopez, M. A.,Kirsch, P. D.,Krishnan, S.,Alshareef, H. N.,Barnett, J.,Harris, H. R.(2006).Systematic gate stack optimization to maximize mobility with HfSiON EOT scaling.IEEE Solid-State Device Research Conference
- Sze, S. M.(2002).Semiconductor devices physics and technology.New York:Wiley.