DOI
是数位物件识别码
（
D
igital
O
bject
I
dentifier
）
的简称，
为物件在网路上的唯一识别码，可用于永久连结并引用目标物件。
使用DOI作为永久连结
每个DOI号前面加上
「
http://dx.doi.org/
」
便成为永久网址。
如以DOI号为
10.5297/ser.1201.002
的文献为例，此文献的永久连结便是：
http://dx.doi.org/
10.5297/ser.1201.002
。
日后不论出版单位如何更动此文献位置，永久连结所指向的位置皆会即时更新，不再错失重要的研究。
引用含有DOI的文献
有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式，可引用DOI永久连结。
DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考 （ ） 。
ACI:
数据来源：Academic Citation Index，简称ACI
台湾最大的引用文献资料库，目前收录台湾与港澳地区所出版的人文学、社会学领域学术期刊之书目资料与参考文献，总期刊量超过690种，每年定期公布收录期刊的影响指数(Impact Factor)等指标给大众，并提供专家学者与学术单位实用的计量与分析功能。
五年影响指数（5-Year Impact Factor）：某一期刊前五年所出版的文章在当年度的平均被引用次数。
公式：（前五年发表论文在统计年的被引用次数）÷（前五年论文产出论文总篇数）
例如：A期刊2017年之五年影响指数
(A期刊2012-2016年发表论文在2017年的被引总次数)/(A期刊2012-2016年发表的论文总数)
什么是预刊文章？
为提供读者最前线之学术资讯，于期刊文献获同意刊登后、纸本印制完成前，率先于网路线上发表之文章即为预刊文章。预刊文章尚未有卷期、页次及出版日期资讯，但可藉由DOI号识别。 DOI号是文献的数位身份证字号，不论预刊或正式出版皆不会改变，读者可点击DOI连结，或于DOI号前面加上 「 http://dx.doi.org/ 」 连结到文献目前最新版本。
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引用范例(视不同引文格式规范可能有所差异)：
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金属闸极在HfSiON绝缘层互补式金氧半场效应电晶体之可靠度研究
Impacts on Reliability of Metal Gated CMOSFETs with HfSiON Dielectric
陈啓文(Chii-Wen Chen) ； 颜良承(Liang-Cheng Yan) ； 叶郁龙(Yu-Long Yeh) ； 叶文冠(Wen-Kuan Yeh) ； 陈育廷(Yu-Ting Chen)
明新学报 ； 37 卷 1 期 (2011 / 02 / 01) ， P85 - 93
繁体中文
DOI：
10.29688/MHJ.201102.0008
金属闸极 ； 热载子不稳定性 ； 负偏压温度不稳定性 ； 闸极漏电流 ； 低频杂讯 ； Metal gate ； Hot-carrier instability ； Negative-bias-temperature instability ； Gate leakage current ； Low frequency noise
- McWhorter, A. L. (1990). 1/f Noise is and Germanium Surface Proporties, in semiconductor surface physics. 207-228..
- Arkado, T.,Kiajima, H.,Torri, K.(2004).Select Says Batch CVD HfSiON Film Best Choicefor High-k Gate Dielectric.Solid Sate Technology,47(12),18.
- Choi, C.,Kang, C. S.,Kang, C. Y.,Rhee, S. J.,Akbar, M. S.,Krishnan, S. A.,Zhang, M.,Lee, J. C.(2005).Positive Bias Temperature Instability Effects of Hf-Based nMOSEFETs With Various Nitrogen and Silicon Profiles.IEEE electron Device Lett.,26-32.
- Hayashi, T.,Nishida, Y.,Sakashita, S.,Mizutani, M.,Yamanari, S.,Higashi, M.(2006).Cost worthy and High Perfrmance LSTP CMIS; Poly-Si/HfSiON nMIS and Poly-Si/TiN/HfSiON pMIS.IEEE International Electron Devices Meeting
- John, B.、Emir, G.、Wes, S.、Tom, S.、Marcus, S.(2005)。解决闸极堆叠制程技术的挑战。半导体科技，53。
