DOI
是数位物件识别码
（
D
igital
O
bject
I
dentifier
）
的简称，
为物件在网路上的唯一识别码，可用于永久连结并引用目标物件。
使用DOI作为永久连结
每个DOI号前面加上
「
http://dx.doi.org/
」
便成为永久网址。
如以DOI号为
10.5297/ser.1201.002
的文献为例，此文献的永久连结便是：
http://dx.doi.org/
10.5297/ser.1201.002
。
日后不论出版单位如何更动此文献位置，永久连结所指向的位置皆会即时更新，不再错失重要的研究。
引用含有DOI的文献
有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式，可引用DOI永久连结。
DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考 （ ） 。
ACI:
数据来源：Academic Citation Index，简称ACI
台湾最大的引用文献资料库，目前收录台湾与港澳地区所出版的人文学、社会学领域学术期刊之书目资料与参考文献，总期刊量超过690种，每年定期公布收录期刊的影响指数(Impact Factor)等指标给大众，并提供专家学者与学术单位实用的计量与分析功能。
五年影响指数（5-Year Impact Factor）：某一期刊前五年所出版的文章在当年度的平均被引用次数。
公式：（前五年发表论文在统计年的被引用次数）÷（前五年论文产出论文总篇数）
例如：A期刊2017年之五年影响指数
(A期刊2012-2016年发表论文在2017年的被引总次数)/(A期刊2012-2016年发表的论文总数)
什么是预刊文章？
为提供读者最前线之学术资讯，于期刊文献获同意刊登后、纸本印制完成前，率先于网路线上发表之文章即为预刊文章。预刊文章尚未有卷期、页次及出版日期资讯，但可藉由DOI号识别。 DOI号是文献的数位身份证字号，不论预刊或正式出版皆不会改变，读者可点击DOI连结，或于DOI号前面加上 「 http://dx.doi.org/ 」 连结到文献目前最新版本。
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引用范例(视不同引文格式规范可能有所差异)：
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NH3电浆氮化技术在Hf-silicate/Gd/TaC NMOSFET上之研究
The Device of TaC/Gd/Hf-based Gate nMOSFETs with NH3-plasma Treatment
陈啓文(Chii-Wen Chen) ； 锺宜佐(Yi-Zuo Zhong) ； 黄正全(Zheng-Quan Huang) ； 陈育廷(Yu-Ting Chen) ； 宋大伟(Da-Wei Song)
明新学报 ； 39 卷 1 期 (2013 / 02 / 01) ， P1 - 8
繁体中文
高介电金属闸极 ； 缺陷密度 ； 闸极漏电流 ； high-k/metal-gate ； trap densities ； gate leakage
- Chang, S. Z.,Hoffmann, T. Y.,Yu, H. Y.,Aoulaiche, M.,Rohr, E.,Adelmann, C.,Kaczer, B.,Delabie, A.,Favia, P.,Van Elshocht, S.,Kubicek, S.,Scharm, T.,Witters, T.,Ragnarsson, L. -A.,Wang, X. P.,Cho, H. -J.,Mueller, M.,Chiarella, T.,Absil, P.,Biesemans, S.(2008).Low VT metal-gate/high-k nMOSFETs-PBTI dependence and VT Tune-ability on La/Dy-capping layer locations and Laser annealing conditions.VLSI Symp.
- Chang, V. S.,Ragnarsson, L. Å.,Yu, H. Y.,Aoulaiche, M.,Conard, T.,Yin, K. M.,Schram, T.,Maes, J. W.,Gendt, S. D.,Biesemans, S.(2007).Effects of Al2O3 Dielectric Cap and Nitridation on Device Performance, Scalability, and Reliability for Advanced High-κ/Metal Gate pMOSFET Applications.IEEE Trans Electron Devices,54,2738.
- De, I.,Johri, D.,Srivastava, A.,Osburn, C. M.(2000).Impact of gate workfunction on device performance at the 50 nm technology node.Solid-State Electron,44,1077.
- Hsu, C. W.,Fang, Y. K.,Yeh, W. K.,Chen, C. Y.,Lin, C. T.,Hsu, C. H.,Cheng, L. W.,Lai, C. M.(2009).Effect of nitrogen incorporation in a Gd cap layer on the reliabilityof deep-sunmicrometer Hf-based high-k/metal-gate nMOSFETs.IEEE Electron Device Lett,30,781.
- Hsu, C. W.,Fang, Y. K.,Yeh, W. K.,Chen, J. Y.,Lin, C. T.,Hsu, C. H.,Cheng, L. W.,Lai, C. M.(2008).Improvement Hf-based high-k/metal gate n-MOSFET performance with gadolinium cap layer.Intl. Conf. Solid State Devices and Materials
