DOI
是数位物件识别码
（
D
igital
O
bject
I
dentifier
）
的简称，
为物件在网路上的唯一识别码，可用于永久连结并引用目标物件。
使用DOI作为永久连结
每个DOI号前面加上
「
http://dx.doi.org/
」
便成为永久网址。
如以DOI号为
10.5297/ser.1201.002
的文献为例，此文献的永久连结便是：
http://dx.doi.org/
10.5297/ser.1201.002
。
日后不论出版单位如何更动此文献位置，永久连结所指向的位置皆会即时更新，不再错失重要的研究。
引用含有DOI的文献
有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式，可引用DOI永久连结。
DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结，并给予使用者跨平台的良好使用经验，目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解，请参考 （ ） 。
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参考文献
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- [1] H.-S. Wong, “Beyond the conventional transistor,” IBM Journal of Research and Development, vol. 46, no. 2.3, pp. 133-168, 2002.
连结：
- [2] V. Agarwal, M. Hrishikesh, S. W. Keckler, and D. Burger, Clock rate versus IPC: The end of the road for conventional microarchitectures: ACM, 2000.
连结： - [4] G. G. Shahidi, "SOI technology for the GHz era." pp. 11-14.
连结： - [5] M. Ieong, J. Kedzierski, Z. Ren, B. Doris, T. Kanarsky, and H.-S. Wong, “Ultra-thin silicon channel single-and double-gate MOSFETs,” SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, pp. 136-137, 2002.
连结： - [6] J.-T. Park, and J.-P. Colinge, “Multiple-gate SOI MOSFETs: device design guidelines,” Electron Devices, IEEE Transactions on, vol. 49, no. 12, pp. 2222-2229, 2002.
连结：
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