DOI
是数位物件识别码
(
D
igital
O
bject
I
dentifier
)
的简称,
为物件在网路上的唯一识别码,可用于永久连结并引用目标物件。
使用DOI作为永久连结
每个DOI号前面加上
「
http://dx.doi.org/
」
便成为永久网址。
如以DOI号为
10.5297/ser.1201.002
的文献为例,此文献的永久连结便是:
http://dx.doi.org/
10.5297/ser.1201.002
。
日后不论出版单位如何更动此文献位置,永久连结所指向的位置皆会即时更新,不再错失重要的研究。
引用含有DOI的文献
有DOI的文献在引用时皆应同时引用DOI。若使用APA、Chicago以外未规范DOI的引用格式,可引用DOI永久连结。
DOI可强化引用精确性、增强学术圈连结,并给予使用者跨平台的良好使用经验,目前在全世界已有超过五千万个对象申请DOI。 如想对DOI的使用与概念有进一步了解,请参考 ( ) 。
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参考文献
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- [1] B. Tan, "Deep micro hole drilling in a silicon substrate using multi-bursts of nanosecond UV laser pulses," Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 16, p. 109, 2006.
连结: - [2] K. Takahashi and M. Sekiguchi, "Through Silicon Via and 3-D Wafer/Chip Stacking Technology," in 2006 Symposium on VLSI Circuits, 2006. Digest of Technical Papers., 2006, pp. 89-92.
连结: - [3] S. K. Lynch, C. Liu, N. Y. Morgan, X. Xiao, A. A. Gomella, D. Mazilu, et al., "Fabrication of 200 nm period centimeter area hard x-ray absorption gratings by multilayer deposition," Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 22, p. 105007, 2012.
连结: - [4] C. Chienliu, W. Yeong-Feng, K. Yoshiaki, S. Ji-Jheng, K. Yusuke, L. Chih-Kung, et al., "Etching submicrometer trenches by using the Bosch process and its application to the fabrication of antireflection structures," Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 15, p. 580, 2005.
连结: - [5] G. Craciun, M. A. Blauw, E. v. d. Drift, P. M. Sarro, and P. J. French, "Temperature influence on etching deep holes with SF 6 /O 2 cryogenic plasma," Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 12, p. 390, 2002.
连结:
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