使用I射線步進機的雙重圖形曝光技術以及其應用在元件製作之研究

A Study on Double Patterning Technique with i-line Stepper and Its Application to Device Fabrication

10.6842/NCTU.2009.00912

謝瑞桀

雙重微影技術 ； 微縮 ； 非對稱式電晶體 ； 穿隧式電晶體 ； double patterning ； scaling ； asymmetric MOSFET ； TFET

交通大學電子工程系所學位論文

2009年

碩士

林鴻志;黃調元

英文

在本論文中，我們發展出一種新穎的技術可利用Ｉ射線(I-line)光學步進機來製作次世代小於100奈米的閘極圖形，並應用其來製作元件。這技術包含了兩次光學微影以及後續製程。因為它不會受到如同一般製程中的繞射效應，其複雜製程帶來的好處是突破一般Ｉ射線光學微影方法的解析度極限(~0.3m)。這技術的解析度在本論文中已被證實可進展到約80奈米左右。數種非對稱源極/汲極元件在本論文中也用此技術來製作與分析，如穿隧式場效電晶體(TFET)以及非對稱式沿展之N型場效電晶體。

In this thesis, we have developed a novel double patterning technique utilizing an i-line stepper for the formation of sub-100nm gate patterns and implemented this technique to the fabrication of devices. This technique consists of 2-step lithography and following etch process to form the gate patterns. Reward for the complicated process steps is the shrinkage of resulted patterns beyond the resolution limit of the conventional i-line lithographic method (~0.3m), since this technique doesn’t suffer the diffraction effect encountered in conventional process. Resolution capability of this technique has been confirmed to improve at least to 80nm in this thesis. Several types of devices with asymmetrical source/drain structure, such as tunneling field-effect transistors (TFETs) and n-MOSFETs with asymmetric extensions, were fabricated with this technique and characterized in this thesis.

1. 徐瑋勵(2016)。沼氣發電對溫室氣體的減量及排放與環境衝擊之評估。臺灣大學環境工程學研究所學位論文。2016。1-122。 
2. 黃啟青(2017)。商業環境改變下，台灣針織染整業新舊商業模式比較研究。臺中科技大學企業管理系碩士班學位論文。2017。1-98。
3. 陳羿綸(2017)。心象‧造境－繪畫創作之研究。長榮大學美術系（所）學位論文。2017。1-100。
4. 許育豪(2017)。海岸風情-佳樂水水墨創作研究。長榮大學美術系（所）學位論文。2017。1-72。