Characteristics of p-type GaN Films Doped with Isoelectronic Indium Atoms

F. C. Chang；K. C. Shen；H. M. Chung；M. C. Lee；W. H. Chen；W. K. Chen

Chinese Journal of Physics

40卷6期（2002 / 12 / 01）

637 - 643

英文

The method of isoelectronic doping, is employed to prepare p-type GaN films using metalorganic chemical vapor deposition. With the addition of In atoms, the film surface becomes much smoother, and the corresponding hole concentration and resistivity are also improved, to 8.7 £ 10^17 cm^(-3) and » 1 Ω-cm, respectively. More interestingly, it is found that an ohmic I-V characteristic can be obtained in such types of films without any dehydrogenation treatment.

1. 張妙寧(2017)。含雙醯胺吡啶與多羧酸配位基之二價配位高分子的合成、結構與性質研究:金屬與配位基對結構的影響。中原大學化學系學位論文。2017。1-178。 
2. 陳羿廷(2011)。離子溶液為模版製備之中孔洞二氧化矽氣凝膠(A-SiO2)之應用 1.以PAN/A-SiO2複合高分子電解質(CPEs)製備高電容量鋰電池 2.高效能A-SiO2防曬材料之製備和性質。中原大學化學系學位論文。2011。1-190。 
3. 潘韵文(2017)。1,3-及1,4-雙取代咔唑單體與矽苯衍生物共聚高分子之合成及其於高分子有機發光二極體之應用。國立臺灣大學化學工程學系學位論文。2017。1-136。 
4. 陳貞均(2017)。開發整合型醣胜肽分析策略應用於探討血清生物標記蛋白質。國立臺灣大學化學系學位論文。2017。1-128。 
5. 羅一翔(2016)。氧化鋅奈米線/金屬氧化物複合電極在超級電容器之應用。清華大學材料科學工程學系學位論文。2016。1-89。
6. 游翔(2017)。訊息設限與測量誤差下之復發事件分析。清華大學統計學研究所學位論文。2017。1-94。
7. 林貞余(2018)。線上客觀結構式影像測試於提升護理人員給藥自我效能與辨認給藥錯誤行為之成效。成功大學護理學系學位論文。2018。1-88。