High Al Content in Al(subscript x)Ga(subscript 1-x)N on GaN Buffer/Sapphire Grown by RFMBE

10.29808/JVSROC.200512.0020

黃健峻(J. J. Huang)；錢韋至(W. C. Chien)；林舜寬(S. K. Lin)；盧勝利(S. L. Lu)；蔡孟希(M. C. Tsai)；吳祖儀(Z. Y. Wu)；施博文(P. W. Sze)；洪茂峰(M. P. Houng)；王永和(Y. H. Wang)

真空科技

18卷3期（2005 / 12 / 05）

86 - 90

英文

In this work, we have successfully grown high quality Al(subscript x)Ga(subscript 1-x)N (400 nm) films with high Al contents (x=0.5) on sapphire (0001) substrates with GaN (150 nm) buffer layers by radio frequency molecular beam epitaxy (RF-MBE). The relationship between the film quality and different Al contents will be discussed in depth. The X-ray diffraction (XRD) 2θ peak of the AlGaN/GaN structure is 34.66 and 35.43 degree with 0.5 aluminum compositions. A degradation of the crystalline quality of AlGaN layers is observed with increasing Al contents. The 6.42 arcmin full-width at the half-maximum (FWHM) of XRD is better than those reported. The 2.985 nm surface roughness for 2μm×2μm area is measured by the atomic force microscopy (AFM).

1. 梁菀婷(2016)。以氯化鈉/氯化銅為氯離子源之化學浴沉積法製備氯化亞銅薄膜特性研究。中原大學電子工程學系學位論文。2016。1-97。 
2. 杜佳政(2011)。氮化鎵近紫外光發光二極體內部量 子效率及效率驟降的研究。中原大學電子工程研究所學位論文。2011。1-85。 
3. 卓育賢(2011)。可摻雜之電活性聚亞醯胺薄膜、微米球及奈米纖維之製備與性質探討。中原大學化學系學位論文。2011。1-229。 
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8. 陳建華(2016)。銀奈米粒子修飾氧化鋅奈米線於光觸媒應用。清華大學材料科學工程學系學位論文。2016。1-57。